| 主办单位： | 集成电路培训中心（ICTC） |
| 举办时间： | 2014年6月12日（周四) |
| 举办地址： | 上海浦东新区张江浦东国际人才城（张衡路500弄1号楼） |
| 关注次数： | 0 |
| 报名网站： | http://www.ictc.org.cn |
小巧的造型车间，紧凑型建模邀请函 - 器件模型培训课程
集成电路培训中心ICTC将邀请器件建模领域的权威伯特兰Ardouin博士，托马斯 瓦伦丁博士做专题邀请报告。一，培训对象：
本课程属于紧凑型建模Workshop，适合具有一定基础的学员：半导体厂器件模型开发人员、模拟/混合信号/射频设计人员、以及相关领域的研究人员和管理人员、集成电路专业研究生以及对器件模型感兴趣的人。
二，时间及地点：
（一）上课时间：2014年6月12日（周四）;
（二）上课地点：上海浦东新区张江浦东国际人才城（张衡路500弄1号楼）
三，其他事项：
（一）报名：
1，报名时间：2014年4月15日至6月01日止;
2、报名方式：填写报名表格（附后），于06月01日前将填好的报名表发送至联系人邮箱（附后）
（二）费用：
1，培训费用：1200 三仙教授培训的学员如报名，则可享受九折优惠。
2、培训食宿：学员午餐由会务组统一安排，往返交通及住宿费用自理（需要住宿的学员可提前预定国际人才城酒店（协议价398元/天）或附近上海张江置业宾馆（协议价200元/天），需要预定的学员请尽早通过会务预定）。
3，相关费用请汇入会务组账号（或根据报名回执现场交付）。
收款单位：上海林恩信息咨询有限公司
开户行：上海银行曹杨支行
账号：316586 03000624127
（汇入账户的学员，请将汇款底单传真至021-3327 5892或者扫描邮件至会务组邮箱史蒂芬。yu@lynneconsulting.com）
（三）联系方式：
联系人：温丽琴，余小阳（林恩咨询,021-5109 6090，18964912340）;
联系邮箱：温丽琴（service@ictc.org.cn）;余小阳（steven.yu@lynneconsulting.com）
四，课程内容：
本课程属于器件模型设计高级课程，适合具有一定基础的学员：偏重器件模型设计中的实际问题，比如如何看待基于物理意义的模型和纯拟合模型，特殊环境下的模型，以及如何判断模型对于设计的好坏。特别讨论了当前比较关心的模型，比如ELECTRO-THERMAL，RELIABILITY等问题。另外，高频下的测量和目前比较热门的RF-SOI模型也作了阐述。最后，对将来热门的新材料也做了展望，也同时对目前的模型参与者提出了有趣的研究方向。课程具体内容包括：
1，引言紧凑造型及具体型号（Ardouin博士）
一，物理基础建模的优势在纯拟合模型
B，统计建模方法
C，EDA工具，环境和流程相关问题
D，具体的建模实例：高温型号，低温型号，射频模式
E，Q / A的验证（线路电平）
2，什么有一个良好的模型是必要的？部分A / B（Ardouin博士）
一，测量
B，测量验证与确认
C，机型小巧：一个简要的回顾和历史（BSIM3 / 4，EKV，PSP，HICUM，VBIC，安格洛夫）
D，测试芯片，测试结构：它的战略直流和射频？
E，提取工具：它的战略模型？（环球接头，分级，当地提取，精度标准等）
女，什么是对设计的影响？有没有一个“适合所有型号”
3，PD SOI CMOS工艺的射频/噪音紧凑的造型（瓦伦丁博士，受邀）
4，电热先进技术特性（齐默教授）
一，测量：低频率的S参数测量，脉冲直流和交流测量
B，TCAD仿真
C，电热紧凑型
D，应用的SiGe-HBT
E，应用到28nm CMOS
楼在电路级的影响
5，射频测量方法达到100GHZ（Ardouin博士）
校准和去嵌入技术的的S参数一，频率限制
B，EM仿真
6，可靠性与紧凑的造型与注重生活时间预测（Ardouin博士）
一，重要性的可靠性感知模型
B，降解机制和老化模型的组合
C，晶体管紧凑模型
D，案例分析和可靠性感知电路
7，展望：“石墨烯电子：如何远离工业应用”（齐默教授）
五，授课专家简介：
伯特兰Ardouin博士
伯特兰Ardouin收到了硕士和博士学位 从theUniversityofBordeaux1 1998 Francein和2001年分别在电气工程学位。他的研究活动是硅锗异质结双极晶体管先进的建模和表征。2002年，他一直XMOD技术，他目前是基金经理和研发总监的联合创始人之一。Ardouin博士是从2006-2012的IEEE-BCTM的CAD /建模小组委员会的成员。
公关。托马斯·齐默
托马斯·齐默收到硕士 从theUniversityofWürzburg，德国，于1989年物理学位和博士学位 从大学波尔多1，塔朗斯，法国，在1992年电子学士学位。从1989年到1990年，他与德国弗劳恩霍夫研究所，德国埃尔兰根。自1992年以来，他与IMS研究所，法国Talence。自2003年以来，他在他UniversityBordeaux1教授。在IMS的实验室，他是研究小组的领导者“纳米电子学。”他的研究兴趣主要集中在高频设备，如HBT（锗，磷化铟），石墨烯纳米管和GFETs电气紧凑建模和表征。他是高级会员IEEE和担任评论员的许多期刊（IEEE ED，EDL，上证所...），并参加了几次会议的程序委员会（BCTM，ESSDERC ...）。他已发表150余同行评议的科学论文，1本书，促成了8书的章节。
拉斐尔瓦伦丁博士（特邀）
他获得了博士学位 从theInstituteofElectronics学位微纳米技术，微电子和纳米技术（IEMN），阿斯克新城，法国，在2008年，他的博士 度的研究是在纳米级金属源/漏全耗尽SOI专用于高频应用晶体管的器件仿真/建模和测量。他工作作为博士后CEA LETI在ST微电子在建模组。有关他的主要研究兴趣先进的无线电频率（高达100千兆赫）的专用于高速/低功耗通信SOI CMOS器件建模紧凑。他目前正在为蒙太奇技术，公司，负责设备和建模活动。
