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SJ 50033/106-1996 半导体分立器件 CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
本规范规定了CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
更新时间:2013-06-21星级:大小:253 KB -
SJ 2748-1987 微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
本空白详细规范规定了制订微波低噪声单栅场效应品体管详细规范的基本原则,制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
更新时间:2013-06-21星级:大小:561 KB -
SJ 50033.51-1994 半导体分立器件 CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
半导体分立器件 CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
更新时间:2013-06-21星级:大小:434 KB -
SJ 50033.52-1994 半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
更新时间:2013-06-21星级:大小:458 KB -
SJ 50033.53-1994 半导体分立器件 CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
本规范规定了CS0530、CS0531型砷化镓(以下简称器件)的详细要求。
更新时间:2013-06-21星级:大小:482 KB -
SJ/Z 9008.2-1987 微波电子管电性能的测试 第2部分:一般测试
为了在要求的频带及功率电平适当匹配,应对测试装置定向耦合器,频率测量仪、驻波检测器及负载进行测试。
更新时间:2013-06-21星级:大小:8.61 MB -
SJ/Z 9008.3-1987 微波电子管电性能的测试 第4部分:磁控管
磁控管主要包含圆柱形阴极、同轴扇形阳极(它们是耦合谐振结构的端头)以及单向同轴磁场(必须在电极之间通过);磁场与阳极电压一起产生电子切向速度,这种电子切向速度...
更新时间:2013-06-21星级:大小:651 KB
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