电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

物理学报  1999, Vol. 48  Issue (2): 257-266

朱鹤孙1, 陈广超2, 江德仪2, 姚鑫兹2, 杜小龙3
(1)北京理工大学，北京 100081; (2)中国科学院物理研究所，北京 100080; (3)中国科学院物理研究所，北京 100080；北京理工大学，北京 100081
PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS
ZHU HE-SUN1, CHEN GUANG-CHAO2, JIANG DE-YI2, YAO XIN-ZI2, DU XIAO-LONG3

摘要： 为了解并优化在电子回旋共振等离子体辅助化学汽相沉积GaN晶膜的工艺研究中的等离子体特性，利用朗缪尔探针及法拉第筒系统地测量了离子密度(Ni)、等离子体势(Vp)、电子温度(Te)及离子流强(Ji)等多个等离子体参量随微波功率(Pw)及沉膜室气压(p)变化的关系.给出了在Pw＝850W，p＝0.22Pa时，上述等离子体参量的轴向及径向分布.GaN晶膜的生长速率、电学及晶体学性能

引用本文:   
杜小龙,陈广超,江德仪 等 . 电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响. 物理学报, 1999, 48(2): 266. 
Cite this article:   
DU XIAO-LONG,CHEN GUANG-CHAO,JIANG DE-YI et al. PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS. Acta Phys. Sin., 1999, 48(2): 257-266. 

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