沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

物理学报  2000, Vol. 49  Issue (10): 2041-2046

程珊华, 宁兆元, 康 健, 马春兰, 叶 超
苏州大学物理系，苏州 215006
EFFECTS OF DEPOSITION TEMPERATURE ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORP HOUS CARBON FILMS
CHENG SHAN-HUA, NING ZHAO-YUAN, KAN JIAN, MA CHUN-LAN, YE CHAO

摘要： 用苯作为源气体，使用微波电子回旋共振(ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含 氢非晶碳薄膜，研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响，发现它们与沉积速 率密切相关.测量了薄膜的含氢量与Raman谱,利用Angus等人提出的随机共价网络模型对结果 作了分析.

引用本文:   
程珊华,宁兆元,康 健 等 . 沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响. 物理学报, 2000, 49(10): 2046. 
Cite this article:   
CHENG SHAN-HUA,NING ZHAO-YUAN,KAN JIAN et al. EFFECTS OF DEPOSITION TEMPERATURE ON ELECTRICAL PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORP HOUS CARBON FILMS. Acta Phys. Sin., 2000, 49(10): 2041-2046. 

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