微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

物理学报  2001, Vol. 50  Issue (12): 2452-2455

胡颖
首都师范大学物理系,北京100037
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD
HU YING

摘要： 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理

引用本文:   
胡颖. 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线. 物理学报, 2001, 50(12): 2455. 
Cite this article:   
HU YING. SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2452-2455. 

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