不同CHF3/CH4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析

物理学报  2001, Vol. 50  Issue (12): 2492-2496

陆新华1, 辛煜2, 宁兆元2, 甘肇强2, 方亮2, 程珊华2
(1)苏州大学化学系,苏州215006; (2)苏州大学物理系,苏州215006
INFRARED ANALYSIS OF BOND CONFIGURATION FOR THE a-C∶F∶H FILMS DEPOSITED AT VARIABLE CHF3/CH4 FLOW RATIOS
LU XIN-HUA1, XIN YU2, NING ZHAO-YUAN2, GAN ZHAO-QIANG2, FANG LIANG2, CHENG SHAN-HUA2

摘要： 通过微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法使用CH4/CHF3源气体制备a-C∶F∶H薄膜.红外结果表明,a-C∶F∶H薄膜随着流量比R=[CHF3]/[CHF3]+[CH4])的变化存在结构上的演变,R<64%时,薄膜主要是以类金刚石(DLC)特征的结构为主;当R>64%时,薄膜表现为一个类聚四氟乙烯(PTFE)的结构,结构单体主要为CF2.同时这种结构上的变化影响着薄膜

引用本文:   
辛煜,宁兆元,甘肇强 等 . 不同CHF3/CH4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析. 物理学报, 2001, 50(12): 2496. 
Cite this article:   
XIN YU,NING ZHAO-YUAN,GAN ZHAO-QIANG et al. INFRARED ANALYSIS OF BOND CONFIGURATION FOR THE a-C∶F∶H FILMS DEPOSITED AT VARIABLE CHF3/CH4 FLOW RATIOS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2492-2496. 

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