多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

物理学报  2001, Vol. 50  Issue (4): 779-783

贺德衍
兰州大学物理系,兰州730000
CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
HE DE-YAN

摘要： 报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm-1.

引用本文:   
贺德衍. 多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制. 物理学报, 2001, 50(4): 783. 
Cite this article:   
HE DE-YAN. CONTROL OF THE SURFACE REACTIONS DURING THE LOW-TEMPERATURE GROWTH OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(4): 779-783. 

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