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更新时间: | 2013-03-14 09:43:44 |
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物理学报 2001, Vol. 50 Issue (4): 784-789
叶超, 宁兆元, 程珊华, 康健
苏州大学物理系,苏州215006
STUDY ON α-C∶F FILMS DEPOSITED BY ELECTRON CYCLOTRONRESONANCE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
YE CHAO, NING ZHAO-YUAN, CHENG SHAN-HUA, KANG JIAN
摘要: 使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
引用本文:
叶超,宁兆元,程珊华 等 . 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究. 物理学报, 2001, 50(4): 789.
Cite this article:
YE CHAO,NING ZHAO-YUAN,CHENG SHAN-HUA et al. STUDY ON α-C∶F FILMS DEPOSITED BY ELECTRON CYCLOTRONRESONANCE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION. Acta Phys. Sin., 2001, 50(4): 784-789.
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