氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析

物理学报  2002, Vol. 51  Issue (11): 2640-2643

王响英1, 叶超2, 宁兆元2, 程珊华2
(1)苏州大学基础医学系,苏州21500; (2)苏州大学物理系,苏州215006
 
Wang Xiang-Ying1, Ye Chao2, Ning Zhao-Yuan2, Cheng Shan-Hua2

摘要： 研究了CHF3C6H6沉积的氟化非晶碳(αC∶F)薄膜的光学带隙.发现αC∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F,CC的相对含量.这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化,改变了带边态密度分布的结果.在微波功率为140—700W、沉积气压为01—10Pa、源气体CHF3∶C6H6流量比为1∶1—10∶1条件下沉积的αC∶F薄膜,光学带隙在176—398eV之间

引用本文:   
叶超,宁兆元,程珊华 等 . 氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析. 物理学报, 2002, 51(11): 2643. 
Cite this article:   
Ye Chao,Ning Zhao-Yuan,Cheng Shan-Hua et al. . Acta Phys. Sin., 2002, 51(11): 2640-2643. 

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