AIGaN/GaN H EMT功率放大器设计

2012-10-09 我要评论(0) 字号:
主题资源: AIGaN  GaN  功率放大器
资料语言: 简体中文
资料类别: PDF文档
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更新时间: 2012-10-09 13:39:33
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AIGaN/GaN H EMT功率放大器设计

资料简介

在小信号 参数不适于微波功率放大器的设计而大信号 参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配, 成功的设计出A1GaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法, 最后得到理想的结果为: 工作绝对稳定,带宽3.6GHz~8.0GHz,最高增益1 1.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2% ,电压驻波比较小。

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