| 定价： | ¥ 49 | ||
| 作者： | 高建军 著 | ||
| 出版： | 高等教育出版社 | ||
| 书号： | 9787040372212 | ||
| 语言： | 简体中文 | ||
| 日期： | 2013-09-01 | ||
| 版次： | 1 | 页数： | 260 |
| 开本： | 16开 | 查看： | 0次 |
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《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要目的是通过对作者在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件模型研究和测试技术方面所作的研究工作加以回顾和总结，以利于今后研究工作的深入开展。《异质结双极晶体管:射频微波建模和参数提取方法》的核心内容源自作者单独或者与新加坡、德国和加拿大研究学者合作发表在国际重要期刊的文章，作者希望这些想法、概念和技术能够为国内外同行共享。
第1章绪论
1.1微波射频半导体器件
1.2异质结双极晶体管
1.3半导体器件射频微波建模和测试
1.4本书的目标和结构
参考文献
第2章半导体器件建模技术基础
2.1基本网络参数
2.1.1阻抗参数
2.1.2导纳参数
2.1.3混合参数
2.1.4传输参数
2.1.5散射参数
2.1.6网络参数之间的关系
2.2二口网络的噪声特性
2.2.1噪声系数和噪声参数
2.2.2阻抗噪声相关矩阵
2.2.3导纳噪声相关矩阵
2.2.4级联噪声相关矩阵
2.2.5噪声相关矩阵之间的关系
2.3二口网络的互联
2.3.1二口网络的串联
2.3.2二口网络的并联
2.3.3二口网络的级联
2.4基本电路元件
2.4.1电阻
2.4.2电容
2.4.3电感
2.4.4受控源
2.4.5理想传输线
2.5 T型网络和PI型网络
2.5.1 T型网络
2.5.2 PI型网络
2.5.3 T型网络和PI型网络之间的转化关系
2.6寄生元件削去技术
2.6.1削去并联元件
2.6.2削去串联元件
2.6.3削去级联元件
2.7参数提取技术基础
2.7.1电容提取技术
2.7.2电感提取技术
2.7.3电阻提取技术
参考文献
第3章双极晶体管建模基础
3.1 PN结二极管
3.1.1 PN结二极管工作原理
3.1.2二极管等效电路模型
3.1.3二极管参数提取技术
3.2双极晶体管工作原理
3.2.1工作机理
3.2.2工作模式
3.2.3基区宽度调制效应
3.2.4大电流注入效应
3.3双极晶体管等效电路模型
3.3.1 Ebers—Moll模型
3.3.2 Gummel—Pool模型
3.3.3噪声模型
3.4微波射频特性
3.4.1工作频率
3.4.2共发射极结构
3.4.3共基极结构
3.4.4共集电极结构
3.4.5三种结构特性比较
参考文献
第4章I—IBT基本工作原理
4.1半导体异质结
4.2常用的HBT器件
4.2.1 GaAs基HBT
4.2.2 InP基HBT
参考文献
第5章异质结晶体管小信号建模和参数提取技术
5.1小信号等效电路模型
5.1.1焊盘
5.1.2 T型等效电路模型
5.1.3 PI型等效电路模型
5.1.4 T型和PI型之间的关系
5.1.5 Mason单向功率增益
5.1.6特征频率和最大振荡频率
5.2器件结构
5.3 PAD电容提取技术
5.4寄生电感提取技术
5.4.1测试结构方法
5.4.2集电极开路方法
5.5寄生电阻提取技术
5.5.1 Z参数方法
5.5.2截止状态方法
5.5.3集电极开路方法
5.6本征元件提取技术
5.6.1直接提取技术
5.6.2混合提取技术
5.7半分析技术
参考文献
第6章异质结晶体管非线性建模和参数提取技术
6.1线性和非线性
6.1.1线性和非线性的定义
6.1.2线性元件和非线性元件
6.2大信号模型和小信号模型
6.3半导体器件的热阻
6.3.1热阻的定义
6.3.2等效电路模型
6.3.3热阻的确定方法
6.4常用的HBT模型
6.4.1 VBIC模型
6.4.2 Agilent模型
6.4.3经验基宏模型
6.4.4本征元件随偏置变化曲线
参考文献
第7章异质结晶体管噪声等效电路模型及参数提取技术
7.1异质结晶体管噪声等效电路模型
7.2噪声参数的计算公式
7.3噪声参数提取技术
7.3.1基于调谐器原理的噪声参数提取技术
7.3.2基于50n噪声测试系统的噪声参数提取技术
7.4共基极、共集电极和共发射极结构
7.4.1信号参数之间的关系
7.4.2噪声参数之间的关系
7.4.3理论验证和实验结果
7.5噪声系数测量技术
7.5.1噪声源
7.5.2 Y因子方法
7.5.3校准技术
参考文献
第8章SiGe HBT建模和参数提取技术
8.1引言
8.2小信号等效电路模型
8.3大信号等效电路模型
8.3.1 HICUM等效电路模型
8.3.2 MEXTRAM等效电路模型
参考文献
第9章射频微波在片自动测试系统
9.1矢量网络分析仪
9.2 40GHz S参数在片自动测试系统
9.3基于IC—CAP的在片测试过程
参考文献
1.1微波射频半导体器件
1.2异质结双极晶体管
1.3半导体器件射频微波建模和测试
1.4本书的目标和结构
参考文献
第2章半导体器件建模技术基础
2.1基本网络参数
2.1.1阻抗参数
2.1.2导纳参数
2.1.3混合参数
2.1.4传输参数
2.1.5散射参数
2.1.6网络参数之间的关系
2.2二口网络的噪声特性
2.2.1噪声系数和噪声参数
2.2.2阻抗噪声相关矩阵
2.2.3导纳噪声相关矩阵
2.2.4级联噪声相关矩阵
2.2.5噪声相关矩阵之间的关系
2.3二口网络的互联
2.3.1二口网络的串联
2.3.2二口网络的并联
2.3.3二口网络的级联
2.4基本电路元件
2.4.1电阻
2.4.2电容
2.4.3电感
2.4.4受控源
2.4.5理想传输线
2.5 T型网络和PI型网络
2.5.1 T型网络
2.5.2 PI型网络
2.5.3 T型网络和PI型网络之间的转化关系
2.6寄生元件削去技术
2.6.1削去并联元件
2.6.2削去串联元件
2.6.3削去级联元件
2.7参数提取技术基础
2.7.1电容提取技术
2.7.2电感提取技术
2.7.3电阻提取技术
参考文献
第3章双极晶体管建模基础
3.1 PN结二极管
3.1.1 PN结二极管工作原理
3.1.2二极管等效电路模型
3.1.3二极管参数提取技术
3.2双极晶体管工作原理
3.2.1工作机理
3.2.2工作模式
3.2.3基区宽度调制效应
3.2.4大电流注入效应
3.3双极晶体管等效电路模型
3.3.1 Ebers—Moll模型
3.3.2 Gummel—Pool模型
3.3.3噪声模型
3.4微波射频特性
3.4.1工作频率
3.4.2共发射极结构
3.4.3共基极结构
3.4.4共集电极结构
3.4.5三种结构特性比较
参考文献
第4章I—IBT基本工作原理
4.1半导体异质结
4.2常用的HBT器件
4.2.1 GaAs基HBT
4.2.2 InP基HBT
参考文献
第5章异质结晶体管小信号建模和参数提取技术
5.1小信号等效电路模型
5.1.1焊盘
5.1.2 T型等效电路模型
5.1.3 PI型等效电路模型
5.1.4 T型和PI型之间的关系
5.1.5 Mason单向功率增益
5.1.6特征频率和最大振荡频率
5.2器件结构
5.3 PAD电容提取技术
5.4寄生电感提取技术
5.4.1测试结构方法
5.4.2集电极开路方法
5.5寄生电阻提取技术
5.5.1 Z参数方法
5.5.2截止状态方法
5.5.3集电极开路方法
5.6本征元件提取技术
5.6.1直接提取技术
5.6.2混合提取技术
5.7半分析技术
参考文献
第6章异质结晶体管非线性建模和参数提取技术
6.1线性和非线性
6.1.1线性和非线性的定义
6.1.2线性元件和非线性元件
6.2大信号模型和小信号模型
6.3半导体器件的热阻
6.3.1热阻的定义
6.3.2等效电路模型
6.3.3热阻的确定方法
6.4常用的HBT模型
6.4.1 VBIC模型
6.4.2 Agilent模型
6.4.3经验基宏模型
6.4.4本征元件随偏置变化曲线
参考文献
第7章异质结晶体管噪声等效电路模型及参数提取技术
7.1异质结晶体管噪声等效电路模型
7.2噪声参数的计算公式
7.3噪声参数提取技术
7.3.1基于调谐器原理的噪声参数提取技术
7.3.2基于50n噪声测试系统的噪声参数提取技术
7.4共基极、共集电极和共发射极结构
7.4.1信号参数之间的关系
7.4.2噪声参数之间的关系
7.4.3理论验证和实验结果
7.5噪声系数测量技术
7.5.1噪声源
7.5.2 Y因子方法
7.5.3校准技术
参考文献
第8章SiGe HBT建模和参数提取技术
8.1引言
8.2小信号等效电路模型
8.3大信号等效电路模型
8.3.1 HICUM等效电路模型
8.3.2 MEXTRAM等效电路模型
参考文献
第9章射频微波在片自动测试系统
9.1矢量网络分析仪
9.2 40GHz S参数在片自动测试系统
9.3基于IC—CAP的在片测试过程
参考文献
粤公网安备 44030902003195号