第三届IEEE MTT-S 国际无线会议（IWS 2015）将于2015年3月30日至4月1日在中国深圳举行。IWS在中国每年举行一次，以提供一个在微波电路，硬件，以及与现有的和新兴的无线系统的物理层方面的RF系统的最新技术成果的展示和交流的国际论坛。 此外，为了应对在未来5G标准的大量无线流量，IWS 2015的研讨重点是无线和光纤系统之间的衔接。IWS 2015 将由“并行会议”、“研讨会”和“最新无线商业产品展示”三个组成部分。
在2015年IWS技术程序委员会在中国深圳努力创造多元化，引人入胜的研讨会！
研讨会议程：
WS1：石墨烯和其他2D材料与器件的无线应用（全天）
主持人：James C. M. Hwang, 利哈伊大学；Shin-Shem Pei, 休斯顿大学
布置在二维（2D）蜂窝状晶格碳原子的单个片材已经是许多涉及基础物理和材料方面及设备应用的研究主题。在这一领域的研究开辟了其它2D材料的应用，如germanene，硅烯，氮化硼，磷杂环，氧化物和硫属化物的有关发展。为了满足从绝缘体到超导体的不同的需求范围，设备利用材料的组合，而不是孤立的二维晶体。以此增强设备的性能和设计多样化。对于石墨烯，其打开能隙的众所周知局限性和其非常有限的应用，在开关应用中可能被克服。石墨烯和其他2D材料在速度柔韧性和稳定性方面有着特别优异的性能。这可能导致开发出新一代无线高频多功能设备。
演讲简介：
标题：展望二维晶体的纳米电子学和影响
演讲人：Kaustav Banerjee, University of California, Santa Barbara
标题：用于微波集成电路的GHz柔性石墨烯晶体管
演讲人：邱博文, 国立清华大学, 台湾
内容摘要：柔性集成电路（ICs）的复杂功能缺少用于可佩戴电子设备环节的研发空间。在这次讲座中，我将展示柔性集成电路包括射频石墨烯场效应晶体管在PET基材上的成果。这个AlOx T-gate结构设计就是用来实现明显增加设备跨导和减少相关的寄生电阻，因此而产生显着的32 GHz的外在截止频率和的20GHz的最大振荡频率- 这两种工作频率都在数量级高于以前的数据。这一成就证明无线通信接收器的两个基本构建模块——高性能低噪声放大器和灵活的混频器的实现是可行的。
标题：2D材料与石墨烯之外的设备
演讲人：James C. M. Hwang, 利哈伊大学
内容摘要：在2012年5月，科学研究的美国空军办公室（AFOSR）和美国国家科学基金会（NSF），在这一新兴领域举办的二维材料与石墨烯之外的设备研讨会以帮助计划一个联合研究计划。在2013年2月，AFOSR公布（BAA-AFOSR-2013-0001）与之同名的1500万美元基础研究发展计划（BRI）。在研究和创新计划（EFRI）二维原子层研究与工程对应的新兴前沿（2-DARE）也预算1500万美元，由于为EFRI长期的选题过程，截止2013年7月，该项目尚未由美国国家科学基金会公布（NSF13-583）。NSF计划在2015财年在此为相同EFRI专题追加1500万美元，用大约4500万美元的总预算来支持这个庞大的基础研究计划，并以此揭开在这个激动人心领域研究活动的序幕。此外，这一举措已补充资助许多其他AFOSR和NSF计划项目。为了响应将BRI的邀约AFOSR收到了93号白皮书，受邀22个完整提案，并选定了8个资助项目，其中包括以每年约100万美元的投资级的两个大组，几个小国际团队，和一个政府实验室。对于EFRI征集，NSF获得159个预提案，受邀47个完整提案，并选定9个以每年约50万美元资助的提案。如无意外的延误，所有AFOSR和NSF奖项应该在2014财年年底前公布。
标题：金属上的大型石墨烯薄膜合成和转移到绝缘子电子应用
演讲人：Shin-Shem Pei, 休斯顿大学
标题：CVD石墨烯薄膜的触摸屏上的应用
演讲人：Peng Peng, 2D Carbon
标题：展望石墨烯和其他2D材料
演讲人：Andrew Wee, 新加坡国立大学
内容摘要：自2004年开始详细研究石墨烯的物理性质以来，已经引起材料界十年的关注。石墨烯，一种原子级薄层碳可在应用程序中使用的半导体和良好的导体，例如使用在透明导电电极在柔性电子。还有其他的二维材料在半导体方面性质类似于石墨烯，从而克服石墨烯应用在电子产品的零点带隙的问题。如二硫化钼和WSe2，一种过渡金属二硫属化物（TMDS）是半导体与依赖于原子层的数目可调直接带隙，从而开辟了潜在的电子和光电应用。最近，phospherene，单层磷原子的一些EVS电子间隙，已经引起研究者的关注，这是一个很好的候选数字化应用，如原子级薄晶体管。
在这次演讲中，我将在现场给出研究进展情况，以及从我们的新加坡国立大学表面科学实验室的带来的具体例子。我们已经证明了两者自下而上和自上而下的方法制造的一维石墨烯纳米带具有可调带隙电子，从而开发了石墨烯的电子和光电应用。我们已经研究了表面辅助自下而上的制造原子级精确的扶手椅石墨烯纳米带第7，14和21行的原子带，在Ag（111）以及它们的空间分辨宽度依赖性的电子结构。我们还将演示在一维的纳米结构通过可控解压单壁碳纳米管分子内结的自上而下制造，组合石墨烯纳米带和单壁碳纳米管。此结显示强大的栅极相关的整流特性，我们证明其在原型定向相关的场效应晶体管的使用，逻辑门和高性能光电探测器。
在2D过渡金属二硫属化物领域中，我们使用高分辨率STM/ STS研究原子结构和内在电子性质MoS2layers（mono-, bi-, tri-）通过化学气相沉积（CVD），直接敷在HOPG基板。我们通过CVD合成了高度结晶MoSe2单分子膜（ML）;在室温下环境条件下，该MoSe2 ML光电晶体管（<25毫秒）比相应的CVD二硫化钼的ML光电晶体管（30秒），展示了更快的响应时间。我们还将研究高度结晶和大尺寸WSe2单分子膜通过CVD在蓝宝石上增长;该ML膜在光电子开辟的应用潜力方面展现出强烈的光芒。关于磷杂环初步结果也将被讨论。
标题：单晶石墨烯单层的晶圆级增长对可重复使用的氢终端锗(Science DOI：10.1126/science.1252268, 2014年4月3日)
演讲人：Dongmok Whang, Sungkyunkwan大学,韩国
标题：RF电子二维晶体半导体的商机
演讲人：Huili Xing, 圣母大学
WS2：GaN在5G无线应用的挑战和前景（全天）
主持人：Rui Ma, Mitsubishi Electric Research Laboratories
本次研讨会旨在把来自学术界和工业界的国际领先GaN器件和微波电路/系统的专家聚在一起，共同讨论GaN功率放大器的最新发展：GaN器件技术，必要的工具和设计方法。
特别是，讨论基于GaN开展有利的技术和所需的手段，最大限度地美化GaN的5G宽带环保基站的无线电设备。研讨会将重点讨论如何在有限的设备上制造最多的系统架构，包括了解神秘的GaN俘获现象;GaN器件的发展模式;负载拉移/源牵引GaN晶体管表征RF PA的设计;多频带包络线跟踪技术的载波聚合;宽带高效RF帕甘专用线性化方案，和由GaN开关模式PA使能重新配置的无线电发射机。
最后，该小组将对以GaN技术的移动宽带时代的美好未来，讨论的其商机和他们的立场。
演讲简介：
标题：用于电信设备的高性能氮化镓射频晶体管
演讲人：Dr. Yi Pei, Dynax Semiconductor, Inc.
内容摘要：内容摘要：GaN HEMT是用于高功率，高频率应用，对于3G WiMAX和4G-LTE电信系统极具吸引力。 对于III-N器件设计和工艺的新技术进行了讨论。输出功率，击穿电压和产率显著增加。其出色的线性性能和效率表现出Doherty 放大器采用Dynax GaN 晶体管。
标题：GaN的技术改进对移动通信业务带来的膨胀，从GaN对SiC到GaN对Si.
演讲人：Dr. Akira Inoue, Mitsubishi Electric Corporation
内容摘要：最近的增加的移动通信业务强制改进了BTS的数字和性能。绿色能源需要高效率的放大器。增强数据速率导致BTS的宽带配置。氮化镓是一个很好的备用材料，这满足于高效率和低输出电容的要求。然而，LDMOS是主要的BTS放大器。LDMOS和GaN都在争相这个领域。近日，效率不断提高的GaN技术展示出显著的进步战胜了LDMOS。一些捕获效果解决了最新的设备的设计，这加强了磁场控制。工作电压近两倍LDMOS于50V的技术进步将被讨论。为了赶上BTS市场强大的性价比需求，GaN on Si设备被开发。我们将展示对比GaN on Si与GaN on SiC装置的最新进展。本领域的效率联署实现GaN on Si的技术达标。
标题：BTS小型单元和微距单元GaN-Si 功率放大器高效的发展
演讲人：Dr. Andrew Patterson, Macom, Northern Ireland
内容摘要：通过改进GaN-SiC技术，我们已经看到了LDMOS BTS 2GHz以上应用从市场上赢得份额。GaN on Si 基板具有GaN-SiC相同的性能优点，如高功率密度，高效率，以及低输出电容和高频宽带操作。此外GaN-Si 可以容易地制造6“或8”硅晶圆提供至关重要的低成本大批量的商业应用和更高的成本效益集成度的GaN MMICs产品。本讲座将概述降低受限制和相关的频率色散行为和与Si基板管理相关的寄生效应。该演讲将探讨有效的测量技术，这可能是有用的表征，该技术包括脉冲IV测试和时域波形的谐波基于负载牵引。最近GaN-Si和GaN-SiC的业绩达到了需要对比和讨论的阶段。讲座还将展示GaN-Si技术如何能够很好地处理数字预失真技术，使Small Cell和Macro Cell BTS系统实现现代应用。
标题：先进的GaN和GaAs晶体管模型，小型和大型信号VNA和NVNA微波测量结合使用
演讲人：Iltcho Angelov博士, Chalmers University, Sweden
内容摘要：该程序描述了先进的GaN 和GaAs 微波FET晶体管特点并讨论了提取大信号等效电路模型（LS ECM）的测量结果。设备将对使用小型和大型信号VNA和NVNA微波测量进行评估。这个（LS ECM）概念是由连接重要的SS和LS模型参数直接通过实验测量（或TCAD）的数据。
First IV, Capacitances和他们的衍生物通过IV , S-parameters, Harmonics and LSVNA波形测量进行评估。选择正确的定义遵循器件物理，使用特性，设备特性变形点，将降低参数的数量，来分别测量需要的模型拟合。重要的模型参数被直接测量或TCAD计算的数据连接，因此，在需要的时候LS模型参数可以直接从装置的物理参数来计算。简短说明将解释EC模型构造如何通过CAD工具实现。建模流程将直观地展示直接提取重要设备的模型参数。GaN, GaAs晶体管的较大的信号模型将被讨论。请特别关注GaN HEMT设备模型。
标题：由多谐负载牵引和源牵引调谐器设计高效率GaN RF PA晶体管的特征描述
演讲人：Chan-Wang Park博士, University of Quebec in Rimouski
内容摘要： 最近市场上出现了对大信号特征源牵引和负载牵引调谐器的大量需求。本演讲介绍了由多谐源牵引和负载牵引调谐器协助功率放大器设计过程晶体管特性的程序和展示了如何成功通过调谐器使用到功率放大器的设计中。一个多谐的表征方法来一步一步解释晶体管的源非线性行为和负载功率，输出功率方面。由于晶体管电源和负载的阻抗，将展示我们设计的一个高效率集成波导型功率放大器基板。
标题：多频段外型跟踪系统载波聚合信号传输
演讲人：Slim Boumaiza博士, University of Waterloo, Waterloo, Canada
供稿者：Hassan Sarbishaei, Yushi Hu, Bilel Fehri, Slim Boumaiza
内容摘要：由于不断地探索新的方法，实现无处不在的无线网络，如部署适应频谱管理技术（e.g., carrier aggregation）。这些技术的引入使发射机可以在多个频段同时发送多个信号，同时保持严格的线性和效率的要求。发射器须同时发送载波间隔从几十到几百兆赫的双带和三带信号。此外，为了最大限度地提高频谱效率和数据吞吐量，现代的无线标准正产生通信信号具有高峰均值功率比（PAPR）的和严格的线性要求。因此，未来的通信基础设施将要求高功率高效，超线性，多标准/多频带无线电系统。
多种反馈功率效率提高的技术，例如Doherty和ET，已经被应用到增强与单频带通信信号驱动功率放大器（PA）的功率效率。当然应用于并发多频带通信信号这些技术面任然临着困难。例如，多尔蒂功率放大器已被证明是非常有效的放大宽带调制信号（包括内带的连续和非连续载波聚合信号）具有中等和高PAPR，但是放大广泛间隔间带载波聚合信号的效率要少得多。ET的多频带信号的放大用法已经由包络放大器的有限速度的历史外切。本讲座将介绍ET功率放大器能够扩增间带载波聚合信号并使用多频带信号的包络的低频成分（LFC）以调制在多频带的ET功率放大器电源电压。这种方法对效率的影响与多频带的ETPA的线性将被讨论。此外，一个新的多波段数字预失真方案设计来减轻非线性的根本来源。
标题：“高能效宽带与多频段GaN 功率放大器”
演讲人：Wenhua Chen博士, Tsinghua University, Beijing, China
内容摘要：为了适应新兴的无线通信，先进的功率放大器（PA）的设计和数字预失真（DPD）方法将在这次会议进行讨论。为宽带效率的提高和双频功率放大器，引入新的匹配技术与采用宽带和双频并发的Doherty PA设计。为了减少2D-DPD行为模式传统的复杂性，一个2D修饰记忆多项式（2D-MMP）和一种自适应pruinng方法表现出来。最后，提出了宽带GaN 功率放大器线性化的低采样率DPD模型。
标题：“用于基站的高效率的可重构Outphasing功率放大器”
演讲人：Mustafa Acar博士, NXP Semiconductors
内容摘要：在下一代蜂窝通信系统中，基站需要具有更高的效率，并且需要更加灵活在多个频带和不同的标准（2G，3G，4G等）操作。由于同时要求较高的平均效率，线性度，输出功率和宽的带宽，这是对用于功率放大器（PA）特别的挑战。本演讲将着重描述NXP公司新型开关模式PA（SMPA）的概念，它提供了由PA更直接的数字控制功率放大器所需的高效率和灵活性。为了做到这一点，SMPA电路组合GaN HEMT设备具有专用高压的，高速的65nm，CMOS RF PA的驱动程序。
WS3：无线收发器的低功耗技术（半天）
主持人：Baoyong Chi， 清华大学
本次研讨会旨在把国际领先的RFIC专家汇聚一堂，讨论低功率无线收发器的最新发展。特别是，它将展开针对由低功率无线电必要的技术最大限度地延长电池寿命的讨论。研讨会将主要涉及节能收发器架构，低功率的关键模块，包括可重构的高效节能变送器，节能的太赫兹无线通信，低功耗多模双系统GNSS接收机，低功耗PLL设计和基于VCO的时域Delta-Sigma型ADCs。
演讲简介：
标题：可重新配置的塑造频段和支持多频道节能变送器
演讲人：Chun-Huat Heng, National University of Singapore
内容摘要：在这次演讲中，我们将介绍针对生物医学应用的两种高效节能发射器架构。通过连接注入锁定环形振荡器正交调制技术，光谱和节能的QPSK/ QAM调制频段塑形可以被实现。再通过采用基于DLL相位内插合成，精细频率调节可以得到进一步实现FSK调制和多频道的支持。所提出的技术排除了相位校准和PLL的频率调谐的任何需求。第一发射器工作时在900MHz达到6％EVM，在100Mbps达到26pJ/bit。第二发射器工作时在MICS频段达到6％EVM，在12.5Mbps达到103pJ/bit。
标题：CMOS低功耗THz无线通信
演讲人：Hao Yu, 新加坡南洋理工大学，新加坡
内容摘要：具有高带宽分配，THz体系无线通信能在即时文件中短距离传输的超高清视频有可能实现超高速传输（T-BPS）。利用和推进CMOS技术，可实现低成本的THz电子产品与系统级芯片的解决方案。然而，CMOS THz的前端的主要困难在显著导致便携式应用较差功率效率且功耗损失巨大的阻碍。为了满足CMOS THz无线通信中的低功耗设计，需要有一个同相的THz信号生成，用于传送和检测高功率效率。在这次讲座中，基于超级材料的电路设计，介绍了THz同相的相控阵MIMO收发器设计。60Hz，140GHz和280GHz高功率高效的信号源，低损耗相移器和天线阵列将被展示。
标题：低功耗技术和多模双系统GNSS接收器
演讲人：Nan Qi, Oregon State University
内容摘要：通过许多卫星资源不同系统间的交互操作，全球导航卫星系统（GNSS）已经进入了全新阶段。为了实现更快的速度，更可靠和更精确的定位，GNSS接收机融入多种渠道，更宽的带宽，和不同的工作方式。这次演讲的重点是关于多模式双系统GNSS接收机低功率的设计技术，包括单振灵活的频率规划，单/双变换的拓扑结构和可扩展的构建模块优化。最后，对4种不同的接收器和他们的测量结果讨论核实低功耗设计技术。
标题：Low power PLL design for SDR applications
演讲人：Liyuan Liu, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
内容摘要：在这次讲座中，我们提出两个PLL设计的SDR应用。第一个是在宽带低震动PLL，在其中采用副谐波注入锁定技术来抑制相位噪声很大，而无需耗费太多的权力。第二个是一个软件定义，无线电ΔΣ小数N分频PLL（SDRPLL）。通过sub-VCOs涵盖不同的频段，PLL 可以在1.6GHz的〜8.8GHz工作，而耗电量比时在21mW以下。
子谐波注入锁定的PLL（SILPLL）在广泛范围的输出时钟频率采用新的定时喷射校中技术来自适应调整定时喷射。此外，我们建议用于半整喷射脉冲发生器来缓解SILPLL的相位噪声和输出频率分辨率之间的权衡。该SILPLL采用的是65纳米CMOS的制造工艺。所测量的输出频率的范围为200MHz的频率分辨率的2.4GHz至3.6GHz和有效值小于160fs抖动从1kHz的整合至30MHz。功率在1.2V电源下只有不到9.1mW。
在SDRPLL，3 LC-VCOs，LB-VCO，MB-VCO和HB-VCO，中分别实施以1.6〜3.4GHz，4.2〜6GHz和5.5〜8.8GHz的频率覆盖范围。在分频电路的帮助下，其中包括了两个分频器5个级联分频和两个5-to-15 MUX的TX和RX LO信号，该SDRPLL可以产生0.1〜4.4GHz正交输出。一种新型的快速自动频率校正（AFC）技术，解决了大大缩短VCO的频率校准时间，同时也没有AFC分辨率的害处。测量显示AFC的7位数字控制校准时间的VCO的电容阵列只小于1.5us的分辨率5MHz与20MHz的参考频率。而2.75375GHz的载波频率在1MHz的相位噪声偏移频率为-120.3dBc。功率比时仅不到21mW。
标题：基于VCO的Time-domain Delta-Sigma ADCs
演讲人：Xinpeng XING, Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University
内容摘要：随着CMOS技术的缩放，模拟和混合信号IC有限的电压裕量和放大器的增益面临着设计的挑战。混合信号IC一种常用解决方案是通过应用VCO设计一种时域ADC。在这次讲话中，我将首先谈论的VCO型的量化结构，工作原理和权衡。在第二部分，我会介绍几个ADC结构来减轻VCO电压- 非线性频率。在演讲的最后部分是关于我们两个VCO型的ADC设计与最先进的40nm CMOS FoMs。
WS4：高性能芯片与内部芯片的无线互联的未来芯片：承诺与挑战（半天）
主持人：Deukhyoun Heo, Washington State University
Patrick Chiang, Oregon State University
能源效益已经成为下一代计算解决方案的主要问题。现代计算系统，从单芯片、多处理器系统级芯片（SoC）的设备到大型数据中心，越来越多地依赖于大量的处理单元实现增加计算性能，其结果是处理节点之间所消耗的能量急剧增加。本讲座将介绍最新的研究进展，旨在提高这些通信系统的效率，无论是多核系统芯片的情况还是大规模数据中心。对于系统级芯片，增加的能源消耗很大程度上源于过远的CPU内核之间平面金属互连的限制。最近的研究已经证明硅集成在芯片及封装天线在高频下运行现在是一个可行的技术，尽管还存在着对高效率和宽带性能诸多的挑战。再加上无线收发器设计显著的进步，这开辟了详细调查芯片内无线互连以备将来的SoC的新机遇。在大型数据中心的范围内，努力改善电互连的效率，针对云计算进行说明。此外，使用硅光子学的光学互连，操作在4×25Gbps的使用标准的CMOS工艺，已经出现作为实用和有希望的解决方案。本次研讨会将对下一代计算系统设计高效节能的互连解决方案，并介绍其方法和面临的挑战。
演讲简介：
标题：高效节能芯片间通信的低功耗无线链路毫米波
演讲人：Deukhyoun Heo
内容摘要：芯片内通信的有效性在很大程度上依赖于物理层的设计。物理层的两个主要组成部分是微型化的片上天线和无线收发器。在本节中，我们的主要焦点将放在为高吞吐量片上的数据传输芯片的设计，高效，宽带毫米（mm）1/2波无线收发器。为了证明这种应用的可行性，我们将展示适用于芯片内部毫米波收发器的电路设计。创建此应用高效节能的无线链路，收发电路必须具备一定的带宽，同时消耗最低的功率。因此，我们将介绍架构和电路级的各种设计方法来降低收发机的功率消耗并延长其带宽。我们将重点介绍我们如何设计低功耗和采用人体功能的宽带收发器设计。而且，该收发器的必要组成部分调制器/解调器（调制解调器）和过滤器的设计也将被讨论。此外，其他可能的物理层的特性，例如UWB, Sub-THz 和THz on-chip无线链路将被进行讨论研究。
标题：极端能效
演讲人：Patrick Chiang
内容摘要：极端能源效率是新一代计算的关键制约因素，例如在大规模数据中心。对于这些应用而言通过通信所消耗的能量大大超过了运算消耗的能量。这次演讲将介绍我的研究小组在提高电气互连云计算能效的最新进展。我还将讨论采用CMOS 4×25Gbps的标准使用硅光子光学互连的最新进展。
标题：无线网络芯片架构和芯片内的通信资源管理
演讲人：Partha Pratim Pande
内容摘要：芯片上通信系统的设计的目标是尽可能有效地使传输数据具有低延迟和高吞吐量。在这部分教程，我们的目的是阐述通过补充片上的无线链路的新型结构设计有着怎样优势。首先，我们将介绍迄今提出的各种WiNoC架构的概述。在此之后，我们将介绍高带宽和低功耗WiNoC架构怎样结合微型世界体系结构的设计。我们将展示一个具有长距离无线快捷设计的分层架构，然后讨论怎样设计采用基于幂定律连接的WiNoC。我们将提出对WiNoCs微型世界和相对于它的基于网格的传统对应，详细的绩效评估和必要的设计权衡。我们也将讨论WiNoCs如何利用微型世界网络固有的稳健性对抗无线链路的故障。我们将通过讨论适合WiNoCs的散热和电源管理来完成这部分的教程。通过使用WiNoC获得所需的性能优势，使可用的通信资源达到最佳的利用。高效的媒体访问机制伴随着最佳的路由方案对于关键无线信道的高效利用。在这一节中，我们讨论WiNoCs用于迄今不同的媒体访问控制（MAC）机制和路由协议。在WiNoCs中，使用一个合适的MAC机制的结合以维持可接受的性能水平是很重要的。所采用的MAC必须简单，重量轻，不应该引入过度的区域和电源消耗。我们将讨论各种适合的MAC，包括token passing, CDMA, FDMA，和time-hopping等设计。为了维持WiNoC的预测性能，无死锁的路由算法必须被设计。路由协议也需要不产生过大的功率，面积和简单的延迟。我们将通过迄今为止提出的WiNoCs各种无死锁路由算法的介绍完成讨论。
标题：用于芯片内外无线通信的高性能天线设计
演讲人：Manos M. Tentzeris
内容摘要：这次演讲将介绍微型芯片用于芯片内和外无线通信的天线。在本节中，我们的主要重点是芯片的设计。高效，微型的宽带天线用于高吞吐量芯片上的数据传输。为满足这些要求，芯片上天线必须是的宽带的，高效的，和足够小的。我们将讨论平面折合偶极天线的各种几何形状的设计和超宽带贴片天线，该天线可以很容易地与芯片无线收发器结合。如何使邻近耦合激发方案有效地提供接近十年的带宽和天线孔径照明效率超过70-75％高达至少85千兆赫。利用银纳米颗粒的导电油墨在硅晶片上使用喷墨打印快速成型这个已经展示高达60GHz优异导电性的上述方案也将被讨论。
WS5：5G蜂窝研讨会（半天）
主持人：Corbett Rowell, Nazarbayev University
本次研讨会将从5G蜂窝的产业发展角度来介绍该技术。5G将增加10倍以上的网络容量，而只消耗相当于4G网络的电流能量的一小部分。本次研讨会提供了一个高层次视角，将系统和体系结构问题放在一起讨论，实际执行5G技术与样机研制，实际困难和测量技术。
演讲简介：
1、蜂窝挑战与技术介绍和研讨会概述：Corbett Rowell（纳扎尔巴耶夫大学）2、5G技术的研究：Eric Tsang（ASTRI）
3、标准化的测量与测试：Frank Wong (Rohde & Schwarz)
4、毫米波网络混合波束：Han Shuang Feng（中国移动）
5、模的5GMIMO测试平台：Tristan Martin (NuTaq)
WS6：创新101：颠覆性创新和解决复杂的问题（全天）
主持人：David S. Ricketts博士，Harvard University
本场研讨会将介绍两个创新的核心模块和企业创新的学术科学家，工程师和管理人员。由在哈佛大学创新科学与工程教授课程的主持人讲解。
内容摘要：
第一部分是对颠覆性的创新的讲解：它是什么？它是怎样的呢？而最重要的是，如何让我们的公司创造颠覆性创新？介绍将包括保持和颠覆性的创新，以及它们如何适用于新兴市场。然后，我们将介绍的确定和发展新机遇的过程。互动练习将让参与者探索自己的具体市场。
第二部分介绍创造性的解决方案。虽然我们的技术团队非常优秀，但有些问题似乎仍然难以解决。你怎么能解决这些传统技术以外的问题？你怎么解决你的团队从来没有遇到过的问题？在这个会议上，我们将讨论我们的头脑是如何工作的，怎样才能拥有创造性的解决方案。我们还将讨论方法和实践，提高创造性解决问题。参与者将完成几个互动练习。
形式：
这个简短的研讨会假设为每个部分大约为100分钟的两部分讲座。每个部分将包括讲座之后的互动。累积讲座时间约为60分钟，与参会者的互动时间约为40分钟。
主持人：
David S. Ricketts 教授从哈佛大学获得博士学位。在过去的十年里，他与他的同事们曾在哈佛大学，工程和应用科学学院，科学和工程创新系任教。Ricketts博士是哈佛科技创业中心（TECH）首届创新科学研究员，并教授了国际创新和创造力。他曾被卡内基- 梅隆大学，哈佛大学，麻省理工学院和北卡罗来纳州立大学任命。加盟学术界后，Ricketts博士带领综合专家小组，花费了十年开发高速集成电路和功率管理电子先进产品。
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