能讯半导体发布用于LTE基站的国产氮化镓微波晶体管

近日国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业，苏州能讯高能半导体有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品DX1H2527150F。这款产品将助力通讯系统设备制造商，针对当下热门的LTE移动通讯市场，提出更高效、更具性价比的解决方案。

能讯发布首款氮化镓微波晶体管：DX1H2527150F

与以往的LDMOS和GaAs相比，GaN功放管在功率密度、工作带宽和效率方面具有无与伦比的优势。这也使得GaN在移动互联网、卫星通讯、有线电视等等领域有着良好的市场前景，被业界认为是射频功率器件的未来。

该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的，拥有杰出的线性度、效率和功率密度，采用这款产品实现的Doherty放大器表现出了非常优异的性能指标。得益于能讯公司先进的设计和优良的工艺，产品多项指标处于业界领先地位。同时，能讯公司承诺为客户提供及时响应、深度协助、提升竞争力的服务标准，为客户提供完整成熟的解决方案和充分的应用技术支持。

氮化镓是半导体与微电子产业的新星，其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓（GaN）半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域，市场规模大于150亿美元。为了争夺这一技术制高点和市场机遇，世界各大半导体商都投入了巨大的力量，氮化镓电子产业的发展已进入了爆发式增长的前奏。

氮化镓应用在微波领域的优势表现为：

氮化镓应用在电力电子领域的优势：

关于能讯高能半导体

能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，已拥有46项中国发明专利和13项国际发明专利，其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验，目前还保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工150余人，50%以上拥有本科学历，其中包括海外归国博士8名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大科技专项、科技部863重大项目以及省、市级重大科技产业项目。

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