| 定价： | ¥ 20 | ||
| 作者： | 黄伟 等著 | ||
| 出版： | 复旦大学出版社 | ||
| 书号： | 9787309096170 | ||
| 语言： | 简体中文 | ||
| 日期： | 2013-07-01 | ||
| 版次： | 1 | 页数： | 204 |
| 开本： | 16开 | 查看： | 0次 |
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《射频/微波功率新型器件导论》把握新一代射频/微波功率器件技术路线与发展趋势，重点开展基于双层多晶硅新结构的射频/微波脉冲功率晶体管的研制及其硅化物材料热稳定性关键工艺的研究。
定性分析深槽结构的槽深、槽宽以及槽中填充物对器件BC结击穿电压的影响，提出了双深槽终端新结构，能有效提高器件BC结的反向击穿能力。利用步内建模法，创新地提出了基于器件的三维热电耦合模型，比器件的二维热电耦合模型更准确、更清晰地反映实测器件热电成像的结温分布。
摸索出在镍中分别以夹层方式掺入少量薄层金属Pt，Mo，W，Zr，Ta来提高镍硅化物热的稳定性，以降低器件发射极、基极的电阻值。运用吉布斯自由能理论给出了关于硅化物NiSi热稳定性得以改善的合理解释。研制了带保护环结构并由上述5种夹层金属形成的NiSi/Si肖特基硅器件。器件良好的I-V电学特性表明，上述5种硅化物是令人满意的互连和接触材料。
新结构微波功率器件的电学、热学测试结果表明，该微波功率器件可覆盖全射频段，甚至扩展至微波S波段应用，并为开发硅基LDMOS，AlGaN/GaNHEMT新一代微波功率器件奠定了良好的研究基础。
定性分析深槽结构的槽深、槽宽以及槽中填充物对器件BC结击穿电压的影响，提出了双深槽终端新结构，能有效提高器件BC结的反向击穿能力。利用步内建模法，创新地提出了基于器件的三维热电耦合模型，比器件的二维热电耦合模型更准确、更清晰地反映实测器件热电成像的结温分布。
摸索出在镍中分别以夹层方式掺入少量薄层金属Pt，Mo，W，Zr，Ta来提高镍硅化物热的稳定性，以降低器件发射极、基极的电阻值。运用吉布斯自由能理论给出了关于硅化物NiSi热稳定性得以改善的合理解释。研制了带保护环结构并由上述5种夹层金属形成的NiSi/Si肖特基硅器件。器件良好的I-V电学特性表明，上述5种硅化物是令人满意的互连和接触材料。
新结构微波功率器件的电学、热学测试结果表明，该微波功率器件可覆盖全射频段，甚至扩展至微波S波段应用，并为开发硅基LDMOS，AlGaN/GaNHEMT新一代微波功率器件奠定了良好的研究基础。
第一章 引言
1.1 微波功率器件的研究背景
1.2 硅双极微波功率器件的发展
1.3 国内外研究现状
1.4 本书内容来源与安排
第二章 双层多晶硅微波功率管的横向参数与纵向参数设计
2.1 本章概要
2.2 硅双极微波功率晶体管的工作原理及主要参数
2.3 器件指标
2.4 器件设计
2.4.1 外延材料的选择
2.4.2 器件纵向参数设计
2.4.3 器件横向参数设计
2.5 微波功率器件的版图设计
2.5.1 器件版图的结构
2.5.2 覆盖式与梳状版图结构图形优值比较
2.5.3 光刻掩模版的编号、名称、次序及最小尺寸
2.5.4 器件的测试结构
2.6 本章小结
第三章 器件特性的模拟分析
3.1 本章概要
3.2 双层多晶硅微波功率管的电学特性模拟
3.3 提升器件击穿电压的槽终端技术
3.3.1 器件槽终端技术的发展
3.3.2 槽深对击穿电压的影响
3.3.3 槽宽对击穿电压的影响
3.3.4 槽中填充物对击穿电压的影响
3.3.5 深槽终端技术与其他终端技术的比较
3.4 功率管多子胞技术
3.4.1 器件的三维热电耦合模型
3.4.2 器件的发射极布局
3.4.3 结果的分析与讨论
3.5 本章小结
第四章 镍硅化物薄膜的热稳定性及其应用研究
4.1 本章摘要
4.2 硅化物的发展过程
4.3 NiSi的热稳定性的研究
4.4 掺Pt，Mo，W，Zr和Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.1 掺Pt对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.2 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.3 掺W对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.4 掺Zr对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.5 掺Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.5 镍硅化物热稳定性的理论研究
4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的应用研究
4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的设计
4.6.2 肖特基器件的工艺流程
4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的电学特性
4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo）Si/Si，Ni（W）Si/Si，Ni（Zr）Si/Si和Ni（Ta）Si/Si器件的电学特性研究
4.7 NiSi与Ni（Pt）Si，Ni（Mo）Si，Ni（W）Si，Ni（Zr）Si和Ni（Ta）Si热稳定性的比较
4.8 本章小结
第五章 关键工艺技术的研究
5.1 本章概要
5.2 硅深槽隔离技术研究
5.3 外基区的形成以及侧墙发射极的形成
5.3.1 外基区的形成
5.3.2 基区侧墙的形成
5.3.3 发射极的形成
5.4 自对准钴硅化物引线技术
5.5 本章小结
第六章 器件制造流程
6.1 本章概要
6.2 器件的结构特点和工艺特点
6.3 器件的工艺流程
6.4 工艺流片中的注意事项
6.5 本章小结
第七章 微波功率器件的测试与分析
7.1 本章概要
7.2 器件的直流参数测试
7.3 深槽击穿特性的合格率测试
7.4 器件的热性能测试
7.5 器件的微波特性测试结果
7.6 本章小结
第八章 射频/微波功率器件的最新发展
8.1 本章概要
8.2 微波功率器件的主要领域
8.2.1 无线通信领域
8.2.2 军用电子系统和雷达
8.2.3 医疗电子
8.3 RFLDMOS技术的发展
8.3.1 RFLDMOS的关键参数
8.3.2 RFLDMOS的新结构器件
8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技术
8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的起源
8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的发展
8.5 本章小结
参考文献
1.1 微波功率器件的研究背景
1.2 硅双极微波功率器件的发展
1.3 国内外研究现状
1.4 本书内容来源与安排
第二章 双层多晶硅微波功率管的横向参数与纵向参数设计
2.1 本章概要
2.2 硅双极微波功率晶体管的工作原理及主要参数
2.3 器件指标
2.4 器件设计
2.4.1 外延材料的选择
2.4.2 器件纵向参数设计
2.4.3 器件横向参数设计
2.5 微波功率器件的版图设计
2.5.1 器件版图的结构
2.5.2 覆盖式与梳状版图结构图形优值比较
2.5.3 光刻掩模版的编号、名称、次序及最小尺寸
2.5.4 器件的测试结构
2.6 本章小结
第三章 器件特性的模拟分析
3.1 本章概要
3.2 双层多晶硅微波功率管的电学特性模拟
3.3 提升器件击穿电压的槽终端技术
3.3.1 器件槽终端技术的发展
3.3.2 槽深对击穿电压的影响
3.3.3 槽宽对击穿电压的影响
3.3.4 槽中填充物对击穿电压的影响
3.3.5 深槽终端技术与其他终端技术的比较
3.4 功率管多子胞技术
3.4.1 器件的三维热电耦合模型
3.4.2 器件的发射极布局
3.4.3 结果的分析与讨论
3.5 本章小结
第四章 镍硅化物薄膜的热稳定性及其应用研究
4.1 本章摘要
4.2 硅化物的发展过程
4.3 NiSi的热稳定性的研究
4.4 掺Pt，Mo，W，Zr和Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.1 掺Pt对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.2 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.3 掺W对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.4 掺Zr对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.4.5 掺Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善
4.5 镍硅化物热稳定性的理论研究
4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的应用研究
4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的设计
4.6.2 肖特基器件的工艺流程
4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的电学特性
4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo）Si/Si，Ni（W）Si/Si，Ni（Zr）Si/Si和Ni（Ta）Si/Si器件的电学特性研究
4.7 NiSi与Ni（Pt）Si，Ni（Mo）Si，Ni（W）Si，Ni（Zr）Si和Ni（Ta）Si热稳定性的比较
4.8 本章小结
第五章 关键工艺技术的研究
5.1 本章概要
5.2 硅深槽隔离技术研究
5.3 外基区的形成以及侧墙发射极的形成
5.3.1 外基区的形成
5.3.2 基区侧墙的形成
5.3.3 发射极的形成
5.4 自对准钴硅化物引线技术
5.5 本章小结
第六章 器件制造流程
6.1 本章概要
6.2 器件的结构特点和工艺特点
6.3 器件的工艺流程
6.4 工艺流片中的注意事项
6.5 本章小结
第七章 微波功率器件的测试与分析
7.1 本章概要
7.2 器件的直流参数测试
7.3 深槽击穿特性的合格率测试
7.4 器件的热性能测试
7.5 器件的微波特性测试结果
7.6 本章小结
第八章 射频/微波功率器件的最新发展
8.1 本章概要
8.2 微波功率器件的主要领域
8.2.1 无线通信领域
8.2.2 军用电子系统和雷达
8.2.3 医疗电子
8.3 RFLDMOS技术的发展
8.3.1 RFLDMOS的关键参数
8.3.2 RFLDMOS的新结构器件
8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技术
8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的起源
8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的发展
8.5 本章小结
参考文献
粤公网安备 44030902003195号